Yarı iletken teknolojileri alanında kıyasıya rekabet sürüyor. Bu alanda öncü firmalardan olan SK Hynix, kısa bir süre evvel yeni LPDDR5x beleklerini duyurdu. Yeni bellekler güç verimliliğinde önemli kazanımlar sunarken bununla birlikte performans açısından da çok savlı görünüyor.
Verimlilikte yüzde 25 düzgünleşme var
SK Hynix, yaptığı basın açıklamasında HKMG (High-K Metal Gate) sürecine sahip dünyanın birinci taşınabilir DRAM’ı olan LPDDR5x’i geliştirdiğini duyurdu. Yapılan açıklamada yeni belleklerin, evvelki jenerasyona kıyasla güç tüketiminde yüzde 25 daha verimli olduğu aktarılıyor. Öte yandan bu bellekler, JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) tarafınca belirlenen 1,01 V ile 1,12 V içindeki ultra düşük voltaj aralığında çalıştığı için LPDDR5x dalında en yüksek güç verimliliğine sahip.
LPDDR5x (Low Power Double Veri Rate 5X) DRAM yongalar isminden da anlaşılacağı üzere külliyen düşük güç tüketimine odaklı bellekler. ötürüsıyla LPDDR5x bellekler taşınabilir aygıtlar için geliştiriliyor. Güç tüketimi ne kadar düşük olursa, aygıtın pil ömrü de ötürüsıyla o kadar yüksek oluyor.
Ek olarak, mevcut LPDDR5X, evvelki jenerasyona göre yüzde 33 daha yüksek olan 8,5 Gbps çalışma suratına sahip. ötürüsıyla yalnızca taşınabilir aygıtlar değil otomotiv bölümü için de bu belleklerin değer derecesi yüksek. Bu ortada, SK Hynix’in 1anm olarak isimlendirdiği üretim süreci temelinde dördüncü jenerasyon 10nm süreç tekniği olarak tabir edilebilir. Ek olarak, Samsung’da 8.5Gbps sürate sahip LPDDR5x tahlillerini tanıtmıştı. SK Hynix, Samsung’tan farklı olarak kendi belleklerinde HKMG teknolojisini entegre ederek transistör verimliliğini artırmayı hedefliyor.
Okumaya devam et...
Verimlilikte yüzde 25 düzgünleşme var
SK Hynix, yaptığı basın açıklamasında HKMG (High-K Metal Gate) sürecine sahip dünyanın birinci taşınabilir DRAM’ı olan LPDDR5x’i geliştirdiğini duyurdu. Yapılan açıklamada yeni belleklerin, evvelki jenerasyona kıyasla güç tüketiminde yüzde 25 daha verimli olduğu aktarılıyor. Öte yandan bu bellekler, JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) tarafınca belirlenen 1,01 V ile 1,12 V içindeki ultra düşük voltaj aralığında çalıştığı için LPDDR5x dalında en yüksek güç verimliliğine sahip.
LPDDR5x (Low Power Double Veri Rate 5X) DRAM yongalar isminden da anlaşılacağı üzere külliyen düşük güç tüketimine odaklı bellekler. ötürüsıyla LPDDR5x bellekler taşınabilir aygıtlar için geliştiriliyor. Güç tüketimi ne kadar düşük olursa, aygıtın pil ömrü de ötürüsıyla o kadar yüksek oluyor.
Ek olarak, mevcut LPDDR5X, evvelki jenerasyona göre yüzde 33 daha yüksek olan 8,5 Gbps çalışma suratına sahip. ötürüsıyla yalnızca taşınabilir aygıtlar değil otomotiv bölümü için de bu belleklerin değer derecesi yüksek. Bu ortada, SK Hynix’in 1anm olarak isimlendirdiği üretim süreci temelinde dördüncü jenerasyon 10nm süreç tekniği olarak tabir edilebilir. Ek olarak, Samsung’da 8.5Gbps sürate sahip LPDDR5x tahlillerini tanıtmıştı. SK Hynix, Samsung’tan farklı olarak kendi belleklerinde HKMG teknolojisini entegre ederek transistör verimliliğini artırmayı hedefliyor.
Okumaya devam et...